图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NSVBC848CLT1G 

产品描述

Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

内部编号

277-NSVBC848CLT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:10399
1+¥1.0257
10+¥0.9846
100+¥0.3487
1000+¥0.2325
3000+¥0.1778
9000+¥0.1504
24000+¥0.1368
45000+¥0.1231
99000+¥0.1026
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#2

数量:336000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NSVBC848CLT1G产品详细规格

规格书 BC84xxLTx, BC850xLT1 Series
集电极最大直流电流 0.1
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 100(Min)
包装宽度 1.3
PCB 3
筛选等级 Automotive
最大功率耗散 300
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 2.9
最大集电极发射极电压 30
最小直流电流增益 420@2mA@5V
包装高度 0.94
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
RoHS RoHS Compliant
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 *
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 15nA (ICBO)
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 *
功率 - 最大 225mW
封装/外壳 *
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 250 mV
晶体管极性 NPN
最低工作温度 - 55 C
系列 BC848CL
品牌 ON Semiconductor
直流电流增益hFE最大值 800 at 2 mA at 5 V
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 VDC
发射极 - 基极电压VEBO 5 VDC
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
安装风格 SMD/SMT
集电极最大直流电流 100 mA
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
直流集电极/增益hfe最小值 420 at 2 mA at 5 V

NSVBC848CLT1G系列产品

NSVBC848CLT1G相关搜索

订购NSVBC848CLT1G.产品描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R. 生产商: ON Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-62155488
    010-82149488
    010-82149008
    010-57196138
    010-82149921
  • 深圳
  • 0755-83975736
    0755-83997440
    0755-83247615
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-67684200
    0512-68796728
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com